zHBM·zNAND-O 첫 공개…400단 이상 V10 BV-NAND 선보여
삼성전자가 4일부터 6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 FMS(Future of Memory and Storage) 2026에 참가해 차세대 3D 메모리 기술과 AI 시대를 위한 메모리 비전을 공개했다.
삼성전자는 업계 최초로 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O 목업(Mock-up)을 선보였다. zHBM은 AI 가속기 위에 HBM을 수직 적층하는 구조로, HBM5 대비 최대 8배 높은 성능과 최대 3배 향상된 전력 효율을 제공하는 것이 특징이다. zNAND-O는 온디바이스 AI 환경에 최적화된 차세대 고성능 NAND 제품이다.
또한 400단 이상 초고적층 ‘V10 BV-NAND’를 업계 최초로 공개했다. 웨이퍼 본딩과 3 Stack 기술을 적용해 메모리 집적도를 이전 세대보다 약 58% 높이고, 읽기·쓰기 성능과 I/O 속도를 향상시켰다.
이와 함께 HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, PM1763, BM1773 등 AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅을 위한 차세대 메모리 및 스토리지 제품도 전시했다.
삼성전자는 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 원스톱 AI 반도체 솔루션을 기반으로 차세대 AI 인프라 시장에서 기술 리더십을 강화해 나가겠다고 밝혔다.